近日，星空在线登录,星空（中国）任俊峰教授团队在国际知名期刊《The Journal of Physical Chemistry Letters》上发表了题为“Electrical Control of the Valley-Layer Hall Effect in Ferromagnetic Bilayer Lattices”的学术论文。山东师范大学为唯一论文署名单位，硕士研究生程昊淼为第一作者，任俊峰教授和赵秀雯博士为通讯作者。

基于层和谷自由度的层电子学和谷电子学对新一代电子设备的制造和应用具有重要意义。虽然层霍尔效应已在理论和实验上实现，但它主要是基于拓扑和反铁磁晶格。研究者在低能有效k·p模型的基础上，研究了双层铁磁晶格中可控谷层霍尔效应（V-LHE）的机理，提出了双层铁磁晶格中通过层间滑移可以产生V-LHE。由于时间反转和空间反转对称性的破缺，基于谷、层自由度、铁磁和铁电耦合的V-LHE可以被预测。此外，谷和层自由度还可以通过磁化方向和层间滑移来分别来调控。通过第一原理计算作者在真实体系双层CrSI晶格中也证明了这一机制，并发现V-LHE可以通过垂直外电场有效地调节。这些发现为谷、层电子学提供了新的研究平台。

以上研究获得国家自然科学基金、山东省自然科学基金及山东省高等学校青创科技计划项目的资助。

论文链接：https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.4c02090